SK海力士预测：到2030年，AI基础设施性能规模将增长约20倍

IT之家10月14日消息，据韩联社报道，SK海力士开发总管安炫（Ahn Hyun）今日在首尔江南区COEX举行的“第28届韩国半导体大展”(SEDEX 2026)上发表主旨演讲。他预测称，2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍 。

安炫指出，当前AI推理市场正同时在三个维度快速扩张：任务复杂度的提升、单次处理信息量（上下文长度）的激增，以及推理请求量的井喷。这些因素相互交织，推动了AI算力基础设施需求的迅猛增长。

随着AI推理需求的暴增，承担海量数据存储与迁移任务的存储器，其关键地位愈发凸显。特别是用于保存并复用前序处理信息的“键值缓存（KV Cache）”容量持续膨胀，迫使系统必须将数据分摊存储于高带宽内存HBM、DRAM以及SSD等不同介质中。分析表明，在此过程中产生的数据迁移，正演变为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。

对此，安炫作出了这一预测， 即人工智能基础设施的性能规模到2030年将增长约20倍。

安炫强调，行业不能仅停留在提升单一存储芯片的性能上，而亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案。

为此，SK海力士在持续优化现有HBM性能的同时，正全力推进3D堆叠DRAM以及高带宽闪存HBF等下一代存储技术的研发：

3D堆叠DRAM：通过在GPU、NPU等逻辑芯片之上直接堆叠DRAM，在大幅跃升传输性能的同时显著降低能耗。

高带宽闪存HBF：将成熟应用于HBM的硅通孔立体堆叠与高速I/O接口技术导入NAND闪存，旨在HBM与DRAM之间开辟全新的存储层级。

IT之家从报道获悉，SK海力士的目标是将HBF的带宽做到同代HBM的50%左右，同时实现约10倍的容量扩容。